配资中介 复旦科研团队研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片
摘要：复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。
时隔半年，继“破晓(PoX)”皮秒闪存器件问世，复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。该校集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队研发的“长缨(CY-01)”架构，将二维超快闪存器件“破晓(PoX)”与成熟硅基CMOS工艺深度融合，率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构芯片。
相关研究成果以《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》(A full-featured2D flash chip enabled by system integration)为题于北京时间10月8日晚间在《自然》(Nature)期刊上发表。
大数据与人工智能时代对数据存取性能提出了极致要求，而传统存储器的速度与功耗已成为阻碍算力发展的“卡脖子”问题之一。今年4月，周鹏-刘春森团队于《自然》(Nature)期刊提出“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理。
当前，CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化半导体)技术是集成电路制造的主流工艺，市场中的大部分集成电路芯片均使用CMOS技术制造，产业链较为成熟。团队认为，如果要加快新技术孵化，就要将二维超快闪存器件充分融入CMOS传统半导体产线，而这也能为CMOS技术带来全新突破。
如何将二维材料与CMOS集成又不破坏其性能，是团队需要攻克的核心难题。团队决定从本身就具有一定柔性的二维材料入手，通过模块化的集成方案，先将二维存储电路与成熟CMOS电路分离制造，再与CMOS控制电路通过高密度单片互连技术(微米尺度通孔)实现完整芯片集成。正是这项核心工艺的创新，实现了在原子尺度上让二维材料和CMOS衬底的紧密贴合，最终实现超过94%的芯片良率。团队进一步提出了跨平台系统设计方法论，包含二维-CMOS电路协同设计、二维-CMOS跨平台接口设计等，并将这一系统集成框架命名为“长缨(CY-01)架构”。
衔接起实验室成果与产业化需求，确保理论创新与应用转化能够“双腿并行”，是周鹏-刘春森团队在研究中相互交织的两条主线。依托前期完成的研究成果与集成工作，此次打造出的芯片已成功流片。
从基础研究到工程化应用，团队已跨越最艰难一步，后续迭代进程将进一步加快。他们下一步计划建立实验基地，与相关机构合作，建立自主主导的工程化项目，并计划用3-5年时间将项目集成到兆量级水平，期间产生的知识产权和IP可授权给合作企业。
头图为二维-硅基混合架构闪存芯片光学显微镜照片配资中介。校方供图
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